창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP270N8F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STH270N8F7-2/6,STP270N8F7 | |
| 기타 관련 문서 | STP270N8F7 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 90A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 193nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13600pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 315W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-13654-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP270N8F7 | |
| 관련 링크 | STP270, STP270N8F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1001BI5-020.0000 | 20MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.7 V ~ 3.6 V 6.3mA Enable/Disable | DSC1001BI5-020.0000.pdf | |
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![]() | K7A403600M-OE16 | K7A403600M-OE16 SAMSUNG QFP | K7A403600M-OE16.pdf | |
![]() | RC0402JR-073M3L 0402 3.3M | RC0402JR-073M3L 0402 3.3M ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0402JR-073M3L 0402 3.3M.pdf | |
![]() | BK-2125HS101TK | BK-2125HS101TK KEMET SMD | BK-2125HS101TK.pdf | |
![]() | 2N3726-27 | 2N3726-27 MOT TO-6 | 2N3726-27.pdf | |
![]() | BD26502GUL-SE2 | BD26502GUL-SE2 RHOM SMD or Through Hole | BD26502GUL-SE2.pdf | |
![]() | RH5RH353BT1 | RH5RH353BT1 RICOH SMD or Through Hole | RH5RH353BT1.pdf |