창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP26NM60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STB,F,P26NM60N | |
| 기타 관련 문서 | STP26NM60N View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 165m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 140W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-9064-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP26NM60N | |
| 관련 링크 | STP26N, STP26NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D1R9CLPAJ | 1.9pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R9CLPAJ.pdf | |
![]() | C10M20 | FUSE CARTRIDGE 20A 400VAC 5AG | C10M20.pdf | |
![]() | MB86982DHXFV-G-BND | MB86982DHXFV-G-BND FUJ QFP | MB86982DHXFV-G-BND.pdf | |
![]() | ABZS-0244 | ABZS-0244 ORIGINAL SMD or Through Hole | ABZS-0244.pdf | |
![]() | SLR-343YY3FM | SLR-343YY3FM ROHM ROHS | SLR-343YY3FM.pdf | |
![]() | TAA2761A | TAA2761A SIEMENS DIP | TAA2761A.pdf | |
![]() | MB606665PF-G-BND | MB606665PF-G-BND FUJ QFP1414 | MB606665PF-G-BND.pdf | |
![]() | XC2S306VQ100C | XC2S306VQ100C XLX SMD or Through Hole | XC2S306VQ100C.pdf | |
![]() | W26020AC120 | W26020AC120 WINBOND TSOP | W26020AC120.pdf | |
![]() | TJ7660D. | TJ7660D. HTC SOP-8 | TJ7660D..pdf | |
![]() | S60D45C P | S60D45C P MOSPEC T0-3P | S60D45C P.pdf | |
![]() | 24012S300S | 24012S300S ASTEC SMD or Through Hole | 24012S300S.pdf |