창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP26NM60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STB,F,P26NM60N | |
| 기타 관련 문서 | STP26NM60N View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 165m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 140W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-9064-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP26NM60N | |
| 관련 링크 | STP26N, STP26NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | TNPW060317K8BEEN | RES SMD 17.8KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060317K8BEEN.pdf | |
![]() | 333-2SURW/S530-A3/TR1-2R | 333-2SURW/S530-A3/TR1-2R EVEROPTO SMD or Through Hole | 333-2SURW/S530-A3/TR1-2R.pdf | |
![]() | SP6200EM5-5.0/TR. | SP6200EM5-5.0/TR. SIPEX SOT23-5 | SP6200EM5-5.0/TR..pdf | |
![]() | B4542 | B4542 EPCOS 7mmX5mm | B4542.pdf | |
![]() | 1MBH05D-120-S06TT | 1MBH05D-120-S06TT FUJI IGBT | 1MBH05D-120-S06TT.pdf | |
![]() | HD6433257L15F | HD6433257L15F renesas SMD or Through Hole | HD6433257L15F.pdf | |
![]() | IRFBC40AS, SiHFBC40AS | IRFBC40AS, SiHFBC40AS VISHAY TO-263 | IRFBC40AS, SiHFBC40AS.pdf |