창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP25N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx25N10F7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 12.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 920pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-14572-5 STP25N10F7-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP25N10F7 | |
| 관련 링크 | STP25N, STP25N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | TCG402U025L3C | 4000µF 25V Aluminum Capacitors Axial, Can 57 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C | TCG402U025L3C.pdf | |
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![]() | ISO7841FDWW | General Purpose Digital Isolator 5700Vrms 4 Channel 100Mbps 100kV/µs CMTI 16-SOIC (0.551", 14.00mm Width) | ISO7841FDWW.pdf | |
![]() | 7-1415542-6 | RELAY GEN PURP | 7-1415542-6.pdf | |
![]() | RL3720S-R15-F | RES SMD 0.15 OHM 1/2W 1508 WIDE | RL3720S-R15-F.pdf | |
![]() | P51-15-A-G-P-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Absolute Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-15-A-G-P-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | AT-C-26-6/6/B-14-OE-R | AT-C-26-6/6/B-14-OE-R ORIGINAL SMD or Through Hole | AT-C-26-6/6/B-14-OE-R.pdf | |
![]() | 87818P2.1 | 87818P2.1 MOT QFN | 87818P2.1.pdf | |
![]() | SBR13003B2 | SBR13003B2 WINSEMI TO-126 | SBR13003B2.pdf | |
![]() | Q033 428 | Q033 428 ATMEL SMD or Through Hole | Q033 428.pdf |