창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP25N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx25N10F7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 12.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 920pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-14572-5 STP25N10F7-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP25N10F7 | |
| 관련 링크 | STP25N, STP25N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | B43511A4158M7 | 1500µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 60 mOhm @ 100Hz 12000 Hrs @ 85°C | B43511A4158M7.pdf | |
![]() | RG1005N-1871-D-T10 | RES SMD 1.87KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-1871-D-T10.pdf | |
![]() | NLA | NLA ORIGINAL TDFN33-12 | NLA.pdf | |
![]() | AT27C256A-12 TC | AT27C256A-12 TC ATMEL SMD or Through Hole | AT27C256A-12 TC.pdf | |
![]() | SG2E684M6L011 | SG2E684M6L011 samwha DIP-2 | SG2E684M6L011.pdf | |
![]() | 44C256CJ-6 | 44C256CJ-6 SEC PLCC | 44C256CJ-6.pdf | |
![]() | TMX3206414GLZ | TMX3206414GLZ TI BGA | TMX3206414GLZ.pdf | |
![]() | SBR6025 | SBR6025 MICROSEMI SMD or Through Hole | SBR6025.pdf | |
![]() | C159A5 | C159A5 NEC TO8 | C159A5.pdf | |
![]() | THS6053IPWPG4 | THS6053IPWPG4 TI TSSOP14 | THS6053IPWPG4.pdf | |
![]() | NRSH470M35V5 x 11F | NRSH470M35V5 x 11F NIC DIP | NRSH470M35V5 x 11F.pdf |