창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP240N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STP240N10F7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 176nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-13588-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP240N10F7 | |
| 관련 링크 | STP240, STP240N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | LMK316AB7106KLHT | 10µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | LMK316AB7106KLHT.pdf | |
![]() | LD035C103JAB2A | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | LD035C103JAB2A.pdf | |
![]() | F339X136848MIM2T0 | 0.068µF Film Capacitor 480V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | F339X136848MIM2T0.pdf | |
![]() | HA17393-A | HA17393-A HD DIP | HA17393-A.pdf | |
![]() | TDA02H0SB1R | TDA02H0SB1R itt SMD or Through Hole | TDA02H0SB1R.pdf | |
![]() | c8051F300-GOR351 | c8051F300-GOR351 SILICON SMD or Through Hole | c8051F300-GOR351.pdf | |
![]() | REV1.1 | REV1.1 SLMSXC TQFP | REV1.1.pdf | |
![]() | EFOS3584E3E | EFOS3584E3E PANASONIC 358MG | EFOS3584E3E.pdf | |
![]() | RI225N332K-TR | RI225N332K-TR RICOHCORP SMD or Through Hole | RI225N332K-TR.pdf | |
![]() | KA9220 | KA9220 SAMSUNG DIP | KA9220.pdf | |
![]() | PZU6.8B,115 | PZU6.8B,115 NXP SMD or Through Hole | PZU6.8B,115.pdf |