창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP21NM60ND | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx21NM60ND | |
기타 관련 문서 | STP21NM60ND View All Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | FDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 8.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-8444-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP21NM60ND | |
관련 링크 | STP21N, STP21NM60ND 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | K330J15C0GK5TH5 | 33pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K330J15C0GK5TH5.pdf | |
![]() | BLL6H0514LS-130,11 | FET RF 100V 1.4GHZ SOT1135B | BLL6H0514LS-130,11.pdf | |
![]() | CMF5559R000BERE | RES 59 OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5559R000BERE.pdf | |
![]() | UPL1H391RMH | UPL1H391RMH NICHICON DIP | UPL1H391RMH.pdf | |
![]() | ST10F-276-CEG | ST10F-276-CEG ST QFP | ST10F-276-CEG.pdf | |
![]() | STGF7N60HD | STGF7N60HD ST TO-220F | STGF7N60HD.pdf | |
![]() | MP6520 | MP6520 M-PulseMicrowave SMD or Through Hole | MP6520.pdf | |
![]() | M36W0R60S | M36W0R60S ST BGA | M36W0R60S.pdf | |
![]() | ATA2270-EK1 | ATA2270-EK1 Atmel SMD or Through Hole | ATA2270-EK1.pdf | |
![]() | BZX55C15/D8 | BZX55C15/D8 GS SMD or Through Hole | BZX55C15/D8.pdf | |
![]() | LTC2630CSC6-HZ10#TRMPBF | LTC2630CSC6-HZ10#TRMPBF LT SMD or Through Hole | LTC2630CSC6-HZ10#TRMPBF.pdf | |
![]() | GFMB1 1812-5P | GFMB1 1812-5P SOSHIN SMD or Through Hole | GFMB1 1812-5P.pdf |