창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP21N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx21N65M5 | |
기타 관련 문서 | STP21N65M5 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 8.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1950pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-10077-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP21N65M5 | |
관련 링크 | STP21N, STP21N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
K332J20C0GF5UL2 | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K332J20C0GF5UL2.pdf | ||
AA1206FR-0711R5L | RES SMD 11.5 OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-0711R5L.pdf | ||
74AC11F | 74AC11F TOS SOP5.2 | 74AC11F.pdf | ||
NS405-B12N | NS405-B12N NS DIP-48 | NS405-B12N.pdf | ||
BZT52C15S-WJ | BZT52C15S-WJ ORIGINAL SOD-323 | BZT52C15S-WJ.pdf | ||
BTA212-600F | BTA212-600F PHILIPS TO-220 | BTA212-600F.pdf | ||
M5L27256K-632101 | M5L27256K-632101 MIT DIP-28P | M5L27256K-632101.pdf | ||
RTA-3000TMC | RTA-3000TMC ORIGINAL LGA | RTA-3000TMC.pdf | ||
AP4953P | AP4953P APEC SOP-8 | AP4953P.pdf | ||
EKMA500ELL6R8MF07D | EKMA500ELL6R8MF07D NIPPONCHEMI-CON DIP-2 | EKMA500ELL6R8MF07D.pdf | ||
FDC302P | FDC302P NS TO-23 | FDC302P.pdf | ||
SKM100GB12T | SKM100GB12T SEMIKRON SMD or Through Hole | SKM100GB12T.pdf |