창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP18N55M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,D,F,P)18N55M5 | |
| 기타 관련 문서 | STP18N55M5 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 550V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 192m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1260pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-10963-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP18N55M5 | |
| 관련 링크 | STP18N, STP18N55M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 672D477H025DS3C | 470µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can | 672D477H025DS3C.pdf | |
![]() | P00246B | P00246B JRC SIP-12P | P00246B.pdf | |
![]() | F2424JS-1W | F2424JS-1W MORNSUN SIP | F2424JS-1W.pdf | |
![]() | NL252018T-5R6J-PF | NL252018T-5R6J-PF TDK SMD | NL252018T-5R6J-PF.pdf | |
![]() | CD025M0068RED-0605 | CD025M0068RED-0605 YAGEO SMD | CD025M0068RED-0605.pdf | |
![]() | BZT03C18 GEG | BZT03C18 GEG TELEFUNKEN SMD or Through Hole | BZT03C18 GEG.pdf | |
![]() | ICL71C03ACPL/CPI | ICL71C03ACPL/CPI HARRIS DIP-28 | ICL71C03ACPL/CPI.pdf | |
![]() | DF132S1.25C | DF132S1.25C HIROSE SMD or Through Hole | DF132S1.25C.pdf | |
![]() | SI6562DQT1 | SI6562DQT1 VISHAY SMD or Through Hole | SI6562DQT1.pdf | |
![]() | MACH5256/68-10YC-12Y | MACH5256/68-10YC-12Y AMD QFP | MACH5256/68-10YC-12Y.pdf | |
![]() | CDBLB455KCAY25-B0 | CDBLB455KCAY25-B0 MUR SMD or Through Hole | CDBLB455KCAY25-B0.pdf |