창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP18N55M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,D,F,P)18N55M5 | |
| 기타 관련 문서 | STP18N55M5 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 550V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 192m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1260pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-10963-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP18N55M5 | |
| 관련 링크 | STP18N, STP18N55M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
|  | FK14X5R1A475K | 4.7µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 방사 0.177" L x 0.098" W(4.50mm x 2.50mm) | FK14X5R1A475K.pdf | |
|  | VJ0603D130GLBAJ | 13pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D130GLBAJ.pdf | |
|  | 2920L200DR | PTC RESETTABLE 15V 2A SMD 2920 | 2920L200DR.pdf | |
|  | FF14A-5A-R11A | FF14A-5A-R11A DDK SMD or Through Hole | FF14A-5A-R11A.pdf | |
|  | PI12C508T-04I/SM | PI12C508T-04I/SM PERICOM SMD | PI12C508T-04I/SM.pdf | |
|  | XC3C1200EFGG400 | XC3C1200EFGG400 XILINX BGA | XC3C1200EFGG400.pdf | |
|  | TRJE336M035R0250 | TRJE336M035R0250 AVX SMD | TRJE336M035R0250.pdf | |
|  | CY54FCT163T-LMB03 | CY54FCT163T-LMB03 CYPRESS SMD or Through Hole | CY54FCT163T-LMB03.pdf | |
|  | 6282E | 6282E LT SSOP | 6282E.pdf | |
|  | M35014-0535P | M35014-0535P MIT DIP | M35014-0535P.pdf | |
|  | AS2954BM3-5.0/TR | AS2954BM3-5.0/TR ALPHA SMD or Through Hole | AS2954BM3-5.0/TR.pdf |