창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP185N10F3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,P)185N10F3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP185N10F3 | |
| 관련 링크 | STP185, STP185N10F3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1210A750KBAAT4X | 75pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A750KBAAT4X.pdf | |
![]() | RNCF1206DTE22K6 | RES SMD 22.6K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RNCF1206DTE22K6.pdf | |
![]() | 179031225 | 179031225 N/A SMD or Through Hole | 179031225.pdf | |
![]() | DM74LS259 | DM74LS259 NS SMD or Through Hole | DM74LS259.pdf | |
![]() | R6472PC320031Rx8 | R6472PC320031Rx8 ORIGINAL Tray | R6472PC320031Rx8.pdf | |
![]() | AT17P040A-B2E | AT17P040A-B2E ATMEL TQFP32 | AT17P040A-B2E.pdf | |
![]() | EP3C120F780C7NGB | EP3C120F780C7NGB ALTERA SMD or Through Hole | EP3C120F780C7NGB.pdf | |
![]() | NR 3012T 150M | NR 3012T 150M ORIGINAL SMD or Through Hole | NR 3012T 150M.pdf | |
![]() | PIC12F510J | PIC12F510J MICROCHIP SOP-8 | PIC12F510J.pdf | |
![]() | TPD4103-TPD4105 | TPD4103-TPD4105 Toshiba SMD or Through Hole | TPD4103-TPD4105.pdf | |
![]() | TH11-3U334GT | TH11-3U334GT MITSUBISH SMD | TH11-3U334GT.pdf |