창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP180N55F3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,P)180N55F3 | |
카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-7512-5 STP180N55F3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP180N55F3 | |
관련 링크 | STP180, STP180N55F3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | OSER51B1SIJ | OSER51B1SIJ OPTO SMD or Through Hole | OSER51B1SIJ.pdf | |
![]() | 232265000000 | 232265000000 BCC DIP-2 | 232265000000.pdf | |
![]() | 74HCT241DW | 74HCT241DW PHIL SOW-20 | 74HCT241DW.pdf | |
![]() | C212G225KBAC000 | C212G225KBAC000 GSIELECTRONICSPT SMD or Through Hole | C212G225KBAC000.pdf | |
![]() | CH201209-47NM | CH201209-47NM ORIGINAL SMD or Through Hole | CH201209-47NM.pdf | |
![]() | HS-60W | HS-60W ORIGINAL SMD or Through Hole | HS-60W.pdf | |
![]() | TDA61905A4 | TDA61905A4 INFINEON SOP | TDA61905A4.pdf | |
![]() | LM334Z* | LM334Z* NS TO-92 | LM334Z*.pdf | |
![]() | MCM6726BWJ12R | MCM6726BWJ12R MOTOROLA SMD or Through Hole | MCM6726BWJ12R.pdf | |
![]() | LWT673-Q1 | LWT673-Q1 OSRAM SMD | LWT673-Q1.pdf | |
![]() | SDWL1608C12NJSTF | SDWL1608C12NJSTF SHENZHENSUNLORDELECTCOLTD SMD or Through Hole | SDWL1608C12NJSTF.pdf | |
![]() | MB834200BP-15-1D8-AA | MB834200BP-15-1D8-AA OKI/FUJ DIP-40 | MB834200BP-15-1D8-AA.pdf |