창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP180N55F3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,P)180N55F3 | |
| 카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 330W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-7512-5 STP180N55F3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP180N55F3 | |
| 관련 링크 | STP180, STP180N55F3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | ECD-G0E3R0B | 3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | ECD-G0E3R0B.pdf | |
![]() | RG3216P-7151-B-T1 | RES SMD 7.15K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-7151-B-T1.pdf | |
![]() | PA1577NL | PA1577NL PULSE SMD10 | PA1577NL.pdf | |
![]() | RCD060N25 | RCD060N25 ROHM DPAK | RCD060N25.pdf | |
![]() | LTC3686EMSE#TRPBF | LTC3686EMSE#TRPBF LINEAR MSOP16 | LTC3686EMSE#TRPBF.pdf | |
![]() | ECES1VU103T | ECES1VU103T Panasonic DIP | ECES1VU103T.pdf | |
![]() | TEA1061C1 | TEA1061C1 PHILIPS SMD or Through Hole | TEA1061C1.pdf | |
![]() | M30610MA-188FP | M30610MA-188FP ORIGINAL QFP | M30610MA-188FP.pdf | |
![]() | SAM4#3H4 | SAM4#3H4 ORIGINAL SOP4 | SAM4#3H4.pdf | |
![]() | MPLAB-REAL-ICE | MPLAB-REAL-ICE MICROCHIPTECHNOLO SMD or Through Hole | MPLAB-REAL-ICE.pdf | |
![]() | MMBT9013DLTLG | MMBT9013DLTLG ORIGINAL SMD or Through Hole | MMBT9013DLTLG.pdf |