창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP170N8F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STP170N8F7 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ F7 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8710pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-16008-5 STP170N8F7-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP170N8F7 | |
관련 링크 | STP170, STP170N8F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
405I35B33M00000 | 33MHz ±30ppm 수정 13pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 405I35B33M00000.pdf | ||
IB2412LS-W75 | IB2412LS-W75 SUC SIP | IB2412LS-W75.pdf | ||
TCACT74 | TCACT74 TOS TSSOP | TCACT74.pdf | ||
FDI1394P11AEC | FDI1394P11AEC PHI BGA | FDI1394P11AEC.pdf | ||
Capacitance | Capacitance N/A N A | Capacitance.pdf | ||
C013100 16.384M | C013100 16.384M RALTRON SMD or Through Hole | C013100 16.384M.pdf | ||
AAT3517IGV-2.8-B-C | AAT3517IGV-2.8-B-C ANALOGIC SOT25 | AAT3517IGV-2.8-B-C.pdf | ||
BL-HD034E-TRB | BL-HD034E-TRB BRIGHT SMD | BL-HD034E-TRB.pdf | ||
LCMX02280C-4FTN256C- | LCMX02280C-4FTN256C- Lattice BGA | LCMX02280C-4FTN256C-.pdf | ||
HZS7C3TD-E | HZS7C3TD-E RENESAS SMD or Through Hole | HZS7C3TD-E.pdf | ||
401CNQ045PBF | 401CNQ045PBF VISHAY SMD or Through Hole | 401CNQ045PBF.pdf |