창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP16NF06L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STP16NF06L(FP) | |
기타 관련 문서 | STP16NF06L View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 345pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-2765-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP16NF06L | |
관련 링크 | STP16N, STP16NF06L 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | S1PDHM3/84A | DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA | S1PDHM3/84A.pdf | |
![]() | MBB02070C4329DC100 | RES 43.2 OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C4329DC100.pdf | |
![]() | 1051L | 1051L IR SOT223 | 1051L.pdf | |
![]() | D2832 | D2832 ORIGINAL SOP-14 | D2832.pdf | |
![]() | SI4450 | SI4450 VISHAY SOP8 | SI4450.pdf | |
![]() | SP506CM-L | SP506CM-L EXAR SP506Series20Mbps | SP506CM-L.pdf | |
![]() | TC2185-3.0VCTTR. | TC2185-3.0VCTTR. MICROCHIP SMD or Through Hole | TC2185-3.0VCTTR..pdf | |
![]() | r125705000w | r125705000w radiall SMD or Through Hole | r125705000w.pdf | |
![]() | MCR10PZHZF7680 | MCR10PZHZF7680 ROHM SMD or Through Hole | MCR10PZHZF7680.pdf | |
![]() | XC3S1200EFGG400 | XC3S1200EFGG400 XILINX BGA | XC3S1200EFGG400.pdf | |
![]() | NG82915GV(QH04ES) | NG82915GV(QH04ES) INTEL BGA | NG82915GV(QH04ES).pdf | |
![]() | 1SV253 | 1SV253 TOSHIBA SOD-423 | 1SV253.pdf |