창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP15N80K5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx15N80K5 | |
| 기타 관련 문서 | STP15N80K5 View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH5™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 375m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-13441 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP15N80K5 | |
| 관련 링크 | STP15N, STP15N80K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1618BE-83-33E-20.000000T | OSC XO 3.3V 20MHZ OE | SIT1618BE-83-33E-20.000000T.pdf | |
![]() | SQZW522RJ | RES 22.0 OHM 5W 5% RADIAL | SQZW522RJ.pdf | |
![]() | WR-80S-VF-1-E2000-SN | WR-80S-VF-1-E2000-SN JAE NA | WR-80S-VF-1-E2000-SN.pdf | |
![]() | RCA02-4D/18R | RCA02-4D/18R ORIGINAL SMD | RCA02-4D/18R.pdf | |
![]() | RT1/4W-6.8K | RT1/4W-6.8K ORIGINAL SMD or Through Hole | RT1/4W-6.8K.pdf | |
![]() | MG0002XL18V | MG0002XL18V AVX 1206-18v | MG0002XL18V.pdf | |
![]() | PASS1BCB | PASS1BCB ORIGINAL HSOP | PASS1BCB.pdf | |
![]() | PV32S100A01B00 | PV32S100A01B00 MURATA DIP | PV32S100A01B00.pdf | |
![]() | H11D | H11D ORIGINAL DIP6 | H11D.pdf | |
![]() | 2SB10260MTL-E | 2SB10260MTL-E RENESAS SOT-89 | 2SB10260MTL-E.pdf |