창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP15N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STF,FI,P15N65M5 | |
| 기타 관련 문서 | STP15N65M5 View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 340m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 810pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 85W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-12936-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP15N65M5 | |
| 관련 링크 | STP15N, STP15N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | CMR07F752FPDM | CMR MICA | CMR07F752FPDM.pdf | |
![]() | 333-2SYGD/S530-E2 | Yellow-Green 573nm LED Indication - Discrete 2V Radial | 333-2SYGD/S530-E2.pdf | |
![]() | RT2010FKE0716KL | RES SMD 16K OHM 1% 1/2W 2010 | RT2010FKE0716KL.pdf | |
![]() | CMF5585K600BHEB | RES 85.6K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5585K600BHEB.pdf | |
![]() | TCLL9V1 | TCLL9V1 TC SMD or Through Hole | TCLL9V1.pdf | |
![]() | 1010C0ZTL0 | 1010C0ZTL0 INTEL BGA | 1010C0ZTL0.pdf | |
![]() | FSP630 | FSP630 FAIRCARD TO-220P | FSP630.pdf | |
![]() | NMC27C256BV | NMC27C256BV NS PLCC-32 | NMC27C256BV.pdf | |
![]() | 1812 56R F | 1812 56R F TASUND SMD or Through Hole | 1812 56R F.pdf | |
![]() | LT1012CJB | LT1012CJB LT DIP | LT1012CJB.pdf | |
![]() | BT8233 | BT8233 BT SMD or Through Hole | BT8233.pdf | |
![]() | K6T0808 | K6T0808 SAMSUNG DIP | K6T0808.pdf |