창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP150N3LLH6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx150N3LLH6 | |
카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4040pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-9097-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP150N3LLH6 | |
관련 링크 | STP150N, STP150N3LLH6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | EH20-1.2-02-3M3 | 3.3mH @ 400Hz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1.2A DCR 127 mOhm (Typ) | EH20-1.2-02-3M3.pdf | |
![]() | Y407850K0000V9L | RES 50K OHM 0.3W 0.005% RADIAL | Y407850K0000V9L.pdf | |
![]() | GAT-6 | GAT-6 MINI SMD or Through Hole | GAT-6.pdf | |
![]() | T45V-10MU | T45V-10MU ORIGINAL QFN20 | T45V-10MU.pdf | |
![]() | LH0072-0H/883 | LH0072-0H/883 NS CAN | LH0072-0H/883.pdf | |
![]() | 33G5973 | 33G5973 TOSHIBA TQFP | 33G5973.pdf | |
![]() | SD203R25S20PBV | SD203R25S20PBV IR SMD or Through Hole | SD203R25S20PBV.pdf | |
![]() | LT1963-1.5 | LT1963-1.5 LT SOT223 | LT1963-1.5.pdf | |
![]() | M37760MCA154GP | M37760MCA154GP MIT QFP-100 | M37760MCA154GP.pdf | |
![]() | XC5972XL | XC5972XL ORIGINAL QFP | XC5972XL.pdf | |
![]() | MIC5207-25 | MIC5207-25 ORIGINAL SOT23 | MIC5207-25.pdf | |
![]() | FL4100001 | FL4100001 PSE SMD or Through Hole | FL4100001.pdf |