창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP150N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx150N10F7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 55A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8115pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-14570-5 STP150N10F7-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP150N10F7 | |
| 관련 링크 | STP150, STP150N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | ADUM7641ARQZ-RL7 | General Purpose Digital Isolator 1000Vrms 6 Channel 1Mbps 15kV/µs CMTI 20-SSOP (0.154", 3.90mm Width) | ADUM7641ARQZ-RL7.pdf | |
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![]() | GO5200 64M | GO5200 64M NVIDIA SMD or Through Hole | GO5200 64M.pdf | |
![]() | 3313J-001-104E(100K) | 3313J-001-104E(100K) BOURNS SMD or Through Hole | 3313J-001-104E(100K).pdf | |
![]() | MCT0603-501%P53R0 | MCT0603-501%P53R0 MCT SMD or Through Hole | MCT0603-501%P53R0.pdf | |
![]() | SN74CBTR16861DGVR(CZ861) | SN74CBTR16861DGVR(CZ861) TI TSSOP48 | SN74CBTR16861DGVR(CZ861).pdf | |
![]() | CL-SH260-150-C-D | CL-SH260-150-C-D CIR QFP | CL-SH260-150-C-D.pdf | |
![]() | AS3820 | AS3820 AMS SMD or Through Hole | AS3820.pdf |