창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP150N10F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx150N10F7 | |
제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 55A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8115pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-14570-5 STP150N10F7-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP150N10F7 | |
관련 링크 | STP150, STP150N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | C1206C223M1RACTU | 0.022µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C223M1RACTU.pdf | |
![]() | 0224006.DRT1UP | FUSE GLASS 6A 125VAC 2AG | 0224006.DRT1UP.pdf | |
![]() | BCX56-10,115 | TRANS NPN 80V 1A SOT89 | BCX56-10,115.pdf | |
![]() | AM29DL800BT-90EC | AM29DL800BT-90EC AMD TSOP48 | AM29DL800BT-90EC.pdf | |
![]() | 15-04-5102 | 15-04-5102 MOLEX SMD or Through Hole | 15-04-5102.pdf | |
![]() | AA219108XT | AA219108XT MOLEX SMD or Through Hole | AA219108XT.pdf | |
![]() | BYQ28EF-150 | BYQ28EF-150 VISHAY TO-220F | BYQ28EF-150.pdf | |
![]() | SI1305DL-T1-E3 TEL:82766440 | SI1305DL-T1-E3 TEL:82766440 VISHAY SMD or Through Hole | SI1305DL-T1-E3 TEL:82766440.pdf | |
![]() | MKP4-1.0UFK630V | MKP4-1.0UFK630V ORIGINAL SMD or Through Hole | MKP4-1.0UFK630V.pdf | |
![]() | B43560A4398M000 | B43560A4398M000 EPCOS DIP-2 | B43560A4398M000.pdf | |
![]() | E1890Y-14 | E1890Y-14 ICS QFP | E1890Y-14.pdf |