창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP14NM50N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STF,I,P14NM50N | |
기타 관련 문서 | STP14NM50N View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 320m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 816pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 90W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-10650-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP14NM50N | |
관련 링크 | STP14N, STP14NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
BFC247025273 | 0.027µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | BFC247025273.pdf | ||
416F370XXADT | 37MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370XXADT.pdf | ||
IRLZ44ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | IRLZ44ZSTRLPBF.pdf | ||
PAT0603E76R8BST1 | RES SMD 76.8 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E76R8BST1.pdf | ||
6090808 | 6090808 CHERRY SMD or Through Hole | 6090808.pdf | ||
TAG8930 | TAG8930 N/A PLCC-68 | TAG8930.pdf | ||
HUF75321D | HUF75321D FAIRCHILD TO-252 | HUF75321D.pdf | ||
MQE9PD-897- | MQE9PD-897- MURATA SMD or Through Hole | MQE9PD-897-.pdf | ||
STE100P2B2 | STE100P2B2 ST QFP | STE100P2B2.pdf | ||
215R7BCGA12H 9000 PRO | 215R7BCGA12H 9000 PRO ATI BGA | 215R7BCGA12H 9000 PRO.pdf | ||
WFP75N08 | WFP75N08 ORIGINAL SMD or Through Hole | WFP75N08.pdf | ||
PA01S0515A | PA01S0515A DELTA SIP | PA01S0515A.pdf |