창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP13N80K5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,F,P)13N80K5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH5™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 450m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-13779-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP13N80K5 | |
| 관련 링크 | STP13N, STP13N80K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 1.5KE130AHE3/73 | TVS DIODE 111VWM 179VC 1.5KE | 1.5KE130AHE3/73.pdf | |
![]() | MGB-243LD | MGB-243LD HG SMD or Through Hole | MGB-243LD.pdf | |
![]() | LSD4F8108REVC | LSD4F8108REVC TI QFP | LSD4F8108REVC.pdf | |
![]() | 13520104 | 13520104 DELPHI con | 13520104.pdf | |
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![]() | PCJ-112D3M 12V | PCJ-112D3M 12V OEG DIP-4 | PCJ-112D3M 12V.pdf | |
![]() | DF3A2P2DSA | DF3A2P2DSA HIR SMD or Through Hole | DF3A2P2DSA.pdf | |
![]() | LT4067 | LT4067 LT QFN | LT4067.pdf | |
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![]() | EP610PC-30T | EP610PC-30T ORIGINAL DIP | EP610PC-30T.pdf |