창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP11NM80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx11NM80 | |
| 기타 관련 문서 | STP11NM80 View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1630pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-4369-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP11NM80 | |
| 관련 링크 | STP11, STP11NM80 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
|  | HDE331MBDDF0KR | 330pF 4000V(4kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | HDE331MBDDF0KR.pdf | |
|  | P6SMB100CA-M3/5B | TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO-214AA | P6SMB100CA-M3/5B.pdf | |
|  | SD7030-560-R | 54.4µH Shielded Wirewound Inductor 990mA 277 mOhm Max Nonstandard | SD7030-560-R.pdf | |
|  | RN73C1J2K05BTDF | RES SMD 2.05KOHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J2K05BTDF.pdf | |
|  | TC7SU04FU(TE85L | TC7SU04FU(TE85L TOSHIBA SOT-353 | TC7SU04FU(TE85L.pdf | |
|  | 24VL025/MS | 24VL025/MS Microchip 8-MSOP | 24VL025/MS.pdf | |
|  | DF152S | DF152S DF SMD or Through Hole | DF152S.pdf | |
|  | IS24C02-3GR | IS24C02-3GR ISSI SO8 | IS24C02-3GR.pdf | |
|  | B57874 | B57874 SIM PLCC | B57874.pdf | |
|  | MAX822CPA | MAX822CPA MAXIM DIP | MAX822CPA.pdf | |
|  | MAX4612AUD | MAX4612AUD MAXIM TSSOP14 | MAX4612AUD.pdf |