창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP11NM60FDFP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STB11NM60FD(-1), STP11NM60FD(FP) | |
기타 관련 문서 | STP11NM60FD View All Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | FDmesh™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 450m옴 @ 5.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 35W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-5392-5 STP11NM60FDFP-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP11NM60FDFP | |
관련 링크 | STP11NM, STP11NM60FDFP 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | MAL215099816E3 | 330µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 10000 Hrs @ 105°C | MAL215099816E3.pdf | |
![]() | CMF55715R00DHEK | RES 715 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55715R00DHEK.pdf | |
![]() | KMI15/1/V3PX | IC SENSOR ROT SPEED SIP2 | KMI15/1/V3PX.pdf | |
![]() | 47C241M-FH25 | 47C241M-FH25 ORIGINAL SOP28 | 47C241M-FH25.pdf | |
![]() | XC2VP20FG676-6I | XC2VP20FG676-6I XILINX BGA | XC2VP20FG676-6I.pdf | |
![]() | 6241AES | 6241AES EL TSSOP-24 | 6241AES.pdf | |
![]() | AT17LV01010JC | AT17LV01010JC ATMEL SMD or Through Hole | AT17LV01010JC.pdf | |
![]() | K4H510838F-HCCC | K4H510838F-HCCC SAMSUNG SMD or Through Hole | K4H510838F-HCCC.pdf | |
![]() | LCN1206T-R12G-S | LCN1206T-R12G-S ORIGINAL SMD or Through Hole | LCN1206T-R12G-S.pdf | |
![]() | RBLN-A361WJ22Y | RBLN-A361WJ22Y ORIGINAL SMD or Through Hole | RBLN-A361WJ22Y.pdf | |
![]() | H07VK150BL.D | H07VK150BL.D HELUKABEL SMD or Through Hole | H07VK150BL.D.pdf | |
![]() | CS7800KU | CS7800KU ORIGINAL SMD24 | CS7800KU.pdf |