창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP11NM60 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,P)11NM60(FP,-1) | |
기타 관련 문서 | STP11NM60 View All Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 450m옴 @ 5.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-2773-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP11NM60 | |
관련 링크 | STP11, STP11NM60 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
B43504A5187M60 | 180µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 750 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504A5187M60.pdf | ||
Y0793541R000T0L | RES 541 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0793541R000T0L.pdf | ||
M34302M8-612SP | M34302M8-612SP MIT SMD or Through Hole | M34302M8-612SP.pdf | ||
SMBD1087LT1 | SMBD1087LT1 MOT SOT-233 | SMBD1087LT1.pdf | ||
3NW6005-1 | 3NW6005-1 SIEMENS SMD or Through Hole | 3NW6005-1.pdf | ||
N60058-2 | N60058-2 INTEL PLCC84 | N60058-2.pdf | ||
DPS816733 | DPS816733 HARRIS SMD | DPS816733.pdf | ||
IRF32N5 | IRF32N5 IR TO-220 | IRF32N5.pdf | ||
AD7858BN | AD7858BN AD DIP24 | AD7858BN.pdf | ||
TLV5618AD | TLV5618AD TI DIP | TLV5618AD.pdf | ||
MS127-2R5NT | MS127-2R5NT ORIGINAL SMD | MS127-2R5NT.pdf | ||
MLV1210NA056V0250 | MLV1210NA056V0250 AEM SMD | MLV1210NA056V0250.pdf |