창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP11NM60 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,P)11NM60(FP,-1) | |
기타 관련 문서 | STP11NM60 View All Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 450m옴 @ 5.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-2773-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP11NM60 | |
관련 링크 | STP11, STP11NM60 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
UMK212SD562JD-T | 5600pF 50V 세라믹 커패시터 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | UMK212SD562JD-T.pdf | ||
Y1506909R000TR23R | RES 909 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y1506909R000TR23R.pdf | ||
HA51338SP | HA51338SP HIT DIP | HA51338SP.pdf | ||
LT3663HMS8E-3.3#PBF | LT3663HMS8E-3.3#PBF LINEARTECHNOLOGY 8-MSOP 8-HMSOP | LT3663HMS8E-3.3#PBF.pdf | ||
OP295GS-T | OP295GS-T AD SOP | OP295GS-T.pdf | ||
300W1KΩ | 300W1KΩ ORIGINAL SMD or Through Hole | 300W1KΩ.pdf | ||
SG-615P25.0000MHZC3 | SG-615P25.0000MHZC3 EPSON SMD or Through Hole | SG-615P25.0000MHZC3.pdf | ||
PD4386C | PD4386C PIONEER QFP-80P | PD4386C.pdf | ||
PRC21025OM | PRC21025OM CMD SOP | PRC21025OM.pdf | ||
F2013ERW | F2013ERW Micropower DIP | F2013ERW.pdf | ||
SFH615-2G | SFH615-2G ISOCOM SMD or Through Hole | SFH615-2G.pdf | ||
CC300K50V | CC300K50V N/A SMD or Through Hole | CC300K50V.pdf |