창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP110N8F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Spice Model Tutorial for Power MOSFETS STP110N8F7 Datasheet | |
애플리케이션 노트 | AN3267 Appl Note AN4191 Appl Note AN4390 Appl Note The Avalanche Issue AN4789 Appl Note | |
설계 리소스 | STP110N8F7 PSpice Model | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3435pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-16486-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP110N8F7 | |
관련 링크 | STP110, STP110N8F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
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![]() | ASTMHTD-106.250MHZ-ZJ-E | 106.25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-106.250MHZ-ZJ-E.pdf | |
![]() | FQPF8N90C | MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F | FQPF8N90C.pdf | |
![]() | CSR0603JTR510 | RES SMD 0.51 OHM 5% 1/8W 0603 | CSR0603JTR510.pdf | |
![]() | P41AT | P41AT FUJITSU SOP8 | P41AT.pdf | |
![]() | FSM12PL-TP | FSM12PL-TP MCC SOD-123FL | FSM12PL-TP.pdf | |
![]() | ISL6255HAZ-T | ISL6255HAZ-T ISL SMD or Through Hole | ISL6255HAZ-T.pdf | |
![]() | MMK5562J63J01L16.5TA18 | MMK5562J63J01L16.5TA18 ORIGINAL SMD or Through Hole | MMK5562J63J01L16.5TA18.pdf | |
![]() | SDR52-120M-LF | SDR52-120M-LF ORIGINAL SMD or Through Hole | SDR52-120M-LF.pdf | |
![]() | P352 | P352 S SMD-4 | P352.pdf | |
![]() | VLF12080T-150M4R0-D | VLF12080T-150M4R0-D TDK SMD | VLF12080T-150M4R0-D.pdf | |
![]() | 6sd106EI | 6sd106EI euepc SMD or Through Hole | 6sd106EI.pdf |