창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP10NM65N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx10NM65N | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 480m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 850pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 90W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-7499-5 STP10NM65N-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP10NM65N | |
| 관련 링크 | STP10N, STP10NM65N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
| 1.5SMC20CA TR13 | TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC SMC | 1.5SMC20CA TR13.pdf | ||
![]() | CRCW060313K3FKEA | RES SMD 13.3K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060313K3FKEA.pdf | |
![]() | CRG0201F64R9 | RES SMD 64.9 OHM 1% 1/20W 0201 | CRG0201F64R9.pdf | |
![]() | B5J3K3 | RES 3.3K OHM 5.25W 5% AXIAL | B5J3K3.pdf | |
![]() | FTR-C1GB003G | FTR-C1GB003G fujitsu SMD or Through Hole | FTR-C1GB003G.pdf | |
![]() | TLE4276G V10 | TLE4276G V10 INFINEON SMD or Through Hole | TLE4276G V10.pdf | |
![]() | IMB11 N | IMB11 N ROHM SOT23-6 | IMB11 N.pdf | |
![]() | 6*8-6.8uH | 6*8-6.8uH ORIGINAL SMD or Through Hole | 6*8-6.8uH.pdf | |
![]() | GPC11512A-050A-C | GPC11512A-050A-C GENERALPL SMD or Through Hole | GPC11512A-050A-C.pdf | |
![]() | HAYES04-00472V3.14 | HAYES04-00472V3.14 NA PLCC | HAYES04-00472V3.14.pdf | |
![]() | NLUG1608T2N7C | NLUG1608T2N7C TDK SMD or Through Hole | NLUG1608T2N7C.pdf | |
![]() | 8635-1M | 8635-1M ORIGINAL SOP | 8635-1M.pdf |