창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP10N95K5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STB(F,P,W)10N95K5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH5™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 950V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 630pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 130W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-14568-5 STP10N95K5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP10N95K5 | |
| 관련 링크 | STP10N, STP10N95K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | DTDG14GPT100 | TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3 | DTDG14GPT100.pdf | |
![]() | C2012C0G1H562JT000N | C2012C0G1H562JT000N TDK SMD | C2012C0G1H562JT000N.pdf | |
![]() | MCP23S08-E/SS | MCP23S08-E/SS MICROCHIP SSOP20 | MCP23S08-E/SS.pdf | |
![]() | B81122-A1334-M | B81122-A1334-M Epcos SMD or Through Hole | B81122-A1334-M.pdf | |
![]() | 3DU812 | 3DU812 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3DU812.pdf | |
![]() | MB84VD21084EM-70 | MB84VD21084EM-70 FUJITSU BGA | MB84VD21084EM-70.pdf | |
![]() | LT1739CF | LT1739CF LINEAR TSSOP20 | LT1739CF.pdf | |
![]() | UPD16311GC-3B6 | UPD16311GC-3B6 NEC QFP-52 | UPD16311GC-3B6.pdf | |
![]() | 2512-8.2R | 2512-8.2R ORIGINAL SMD or Through Hole | 2512-8.2R.pdf | |
![]() | 3SK205 | 3SK205 NEC SOT-143 | 3SK205.pdf |