창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP10N62K3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx(x)10N62K3 | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH3™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 620V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1250pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-9099-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP10N62K3 | |
관련 링크 | STP10N, STP10N62K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805A150KXRAT5Z | 15pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805A150KXRAT5Z.pdf | |
![]() | GRM31CC70G226KE01L | 22µF 4V 세라믹 커패시터 X7S 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM31CC70G226KE01L.pdf | |
![]() | ADSL901JRS | ADSL901JRS AD SSOP-28 | ADSL901JRS.pdf | |
![]() | NLAS1053US/ACL | NLAS1053US/ACL ON/ONSemiconductor/ TMSOP8 | NLAS1053US/ACL.pdf | |
![]() | C156 | C156 NEC CAN | C156.pdf | |
![]() | PEF2055NVA3 | PEF2055NVA3 INFINEON PLCC44 | PEF2055NVA3 .pdf | |
![]() | B73181AAA | B73181AAA MOSYS SMD | B73181AAA.pdf | |
![]() | BSP762NT | BSP762NT INFIN SMD or Through Hole | BSP762NT.pdf | |
![]() | RTM682-828. | RTM682-828. REALTEK SOP | RTM682-828..pdf | |
![]() | R50G515JT | R50G515JT RGA SMD or Through Hole | R50G515JT.pdf | |
![]() | 87C52X2-MC /POLAR-PM | 87C52X2-MC /POLAR-PM T DIP-40 | 87C52X2-MC /POLAR-PM.pdf | |
![]() | QS54FCT151ATHB | QS54FCT151ATHB QualitySemiconduc SMD or Through Hole | QS54FCT151ATHB.pdf |