창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP10N62K3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx(x)10N62K3 | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 620V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1250pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-9099-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP10N62K3 | |
| 관련 링크 | STP10N, STP10N62K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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| RH050100R0FC02 | RES CHAS MNT 100 OHM 1% 50W | RH050100R0FC02.pdf | ||
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![]() | MB87L139PFVE1 | MB87L139PFVE1 N/A QFP | MB87L139PFVE1.pdf | |
![]() | P80C652EBA | P80C652EBA PHILIPS PLCC | P80C652EBA.pdf | |
![]() | STMTL072CN | STMTL072CN ST SMD or Through Hole | STMTL072CN.pdf | |
![]() | MIC809SUYR NOPB | MIC809SUYR NOPB MIC SOT23 | MIC809SUYR NOPB.pdf | |
![]() | NTC-T156M2.5TRAF | NTC-T156M2.5TRAF NTC SMD | NTC-T156M2.5TRAF.pdf | |
![]() | TP0205A-T1 / AC | TP0205A-T1 / AC SILICONIX SOT-323 | TP0205A-T1 / AC.pdf |