창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP100N6F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STP100N6F7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ F7 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.6m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1980pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15888-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP100N6F7 | |
| 관련 링크 | STP100, STP100N6F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 416F380X3AKT | 38MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F380X3AKT.pdf | |
![]() | CRGH2010F19K1 | RES SMD 19.1K OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F19K1.pdf | |
![]() | CMF5513K300CEEB | RES 13.3K OHM 1/2W 0.25% AXIAL | CMF5513K300CEEB.pdf | |
![]() | FBM1206ST101S | FBM1206ST101S AOBA SMD or Through Hole | FBM1206ST101S.pdf | |
![]() | 6a10m | 6a10m ORIGINAL SMD or Through Hole | 6a10m.pdf | |
![]() | LFR245A | LFR245A TI TSSOP-20 | LFR245A.pdf | |
![]() | VLZ13C | VLZ13C VISHAY SOD-80 | VLZ13C.pdf | |
![]() | SAF7730HV/317 | SAF7730HV/317 NXP TQFP144 | SAF7730HV/317.pdf | |
![]() | TL081ACDRG4 | TL081ACDRG4 TI SOP-8 | TL081ACDRG4.pdf | |
![]() | NJM386D. | NJM386D. JRC DIP8 | NJM386D..pdf | |
![]() | MIPSA2520D4R7 | MIPSA2520D4R7 FDK SMD or Through Hole | MIPSA2520D4R7.pdf | |
![]() | ISPLSI1016E100J | ISPLSI1016E100J lat SMD or Through Hole | ISPLSI1016E100J.pdf |