창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STN1NF10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STN1NF10 | |
| 기타 관련 문서 | STN1NF10 View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 105pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 497-14747-2 STN1NF10-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STN1NF10 | |
| 관련 링크 | STN1, STN1NF10 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | C1005C0G1H330J/50 | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005C0G1H330J/50.pdf | |
| TLZ24B-GS18 | DIODE ZENER 24V 500MW SOD80 | TLZ24B-GS18.pdf | ||
![]() | CPF0805B3K48E1 | RES SMD 3.48KOHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B3K48E1.pdf | |
![]() | CMF556K6500FERE | RES 6.65K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF556K6500FERE.pdf | |
![]() | 13904144000 | 13904144000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 13904144000.pdf | |
![]() | PADS62C17IRGCT | PADS62C17IRGCT TI QFN | PADS62C17IRGCT.pdf | |
![]() | HSMNA100P00J1 | HSMNA100P00J1 AVAGO SMD | HSMNA100P00J1.pdf | |
![]() | EEPROM 24C02 | EEPROM 24C02 ATMEL SO-8 | EEPROM 24C02.pdf | |
![]() | SCN-10-06 | SCN-10-06 Origin TO-66 | SCN-10-06.pdf | |
![]() | D18707PJ | D18707PJ TI QFP | D18707PJ.pdf | |
![]() | BAS16DXV6T5G | BAS16DXV6T5G ON SOT563 | BAS16DXV6T5G.pdf | |
![]() | RJK0305DPB-00J0 | RJK0305DPB-00J0 Renesas SMD or Through Hole | RJK0305DPB-00J0.pdf |