창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL8DN10LF3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL8DN10LF3 | |
| 기타 관련 문서 | STL8DN10LF3 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ III | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 970pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-13168-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL8DN10LF3 | |
| 관련 링크 | STL8DN, STL8DN10LF3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SA051C102KAA | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.091" Dia x 0.118" L(2.30mm x 3.00mm) | SA051C102KAA.pdf | |
![]() | 19.200MHZ 3225 | 19.200MHZ 3225 ORIGINAL 3225 | 19.200MHZ 3225.pdf | |
![]() | M38207M8-069FP | M38207M8-069FP ORIGINAL QFP | M38207M8-069FP.pdf | |
![]() | T1G002SS-TL | T1G002SS-TL SANYO SOP-8 | T1G002SS-TL.pdf | |
![]() | M34506M2-724FR | M34506M2-724FR MIT SMD | M34506M2-724FR.pdf | |
![]() | YB1220ST26TAA | YB1220ST26TAA YOBON SOT23-6 | YB1220ST26TAA.pdf | |
![]() | MA334B NOPB | MA334B NOPB Panasonic SOD123 | MA334B NOPB.pdf | |
![]() | 600F8R2BT200T | 600F8R2BT200T ATC SMD | 600F8R2BT200T.pdf | |
![]() | LM6462ALM | LM6462ALM NS SOP | LM6462ALM.pdf | |
![]() | SF20DPS-H1-5 | SF20DPS-H1-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | SF20DPS-H1-5.pdf | |
![]() | SPI4612RD155 | SPI4612RD155 SEJIN SMD or Through Hole | SPI4612RD155.pdf |