창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL7N6LF3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL7N6LF3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, STripFET™ F3 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 43m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 432pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 52W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-16042-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL7N6LF3 | |
| 관련 링크 | STL7N, STL7N6LF3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | GF063PB105(1M) | GF063PB105(1M) TOKYOCOSMOSELECTRICCOLTD SMD or Through Hole | GF063PB105(1M).pdf | |
![]() | GBY451616T-600Y-S | GBY451616T-600Y-S YA SMD | GBY451616T-600Y-S.pdf | |
![]() | MAX7221CNG DIP | MAX7221CNG DIP N/A NA | MAX7221CNG DIP.pdf | |
![]() | 2SA811A-C15 | 2SA811A-C15 NEC SOT-23 | 2SA811A-C15.pdf | |
![]() | TRS20182 | TRS20182 TRSSTAR SMD or Through Hole | TRS20182.pdf | |
![]() | HX3044-AK | HX3044-AK HEXIN DFN2x2-6L | HX3044-AK.pdf | |
![]() | BAR16L | BAR16L PHILIPS SOT23 | BAR16L.pdf | |
![]() | JMX-94F-48V | JMX-94F-48V ORIGINAL SMD or Through Hole | JMX-94F-48V.pdf | |
![]() | TMS320031PQL40 | TMS320031PQL40 TI BQFP-132 | TMS320031PQL40.pdf | |
![]() | SMM020450487RFB0E3 | SMM020450487RFB0E3 vishay SMD or Through Hole | SMM020450487RFB0E3.pdf | |
![]() | LQS66C220M04M00 | LQS66C220M04M00 MURATA SMD or Through Hole | LQS66C220M04M00.pdf | |
![]() | HMTSW-115-07-TM-S-130-RA | HMTSW-115-07-TM-S-130-RA SAMTEC ORIGINAL | HMTSW-115-07-TM-S-130-RA.pdf |