창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL70N10F3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL70N10F3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ III | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 82A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3210pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-13350-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL70N10F3 | |
| 관련 링크 | STL70N, STL70N10F3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 1210Y5000104KJT | 0.10µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 1210Y5000104KJT.pdf | |
![]() | PHP00603E8661BST1 | RES SMD 8.66K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E8661BST1.pdf | |
![]() | B20J12K5 | RES 12.5K OHM 20W 5% AXIAL | B20J12K5.pdf | |
![]() | 3DA808 | 3DA808 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3DA808.pdf | |
![]() | UPD78F0535GCA (IAP-200) | UPD78F0535GCA (IAP-200) RENESASNEC SMD or Through Hole | UPD78F0535GCA (IAP-200).pdf | |
![]() | 8X10-20MH | 8X10-20MH WD SMD or Through Hole | 8X10-20MH.pdf | |
![]() | A12C-5.TB | A12C-5.TB MISC TSSOP8 | A12C-5.TB.pdf | |
![]() | 7000-12501-0000000 | 7000-12501-0000000 MURR SMD or Through Hole | 7000-12501-0000000.pdf | |
![]() | D4265405G5A507JD | D4265405G5A507JD NEC TSOP2 | D4265405G5A507JD.pdf | |
![]() | 6300HC | 6300HC ORIGINAL SOP8 | 6300HC.pdf | |
![]() | N1400SH14 | N1400SH14 WESTCODE SMD or Through Hole | N1400SH14.pdf | |
![]() | IRGI4060D | IRGI4060D IR TO-220F | IRGI4060D.pdf |