창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL6P3LLH6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL6P3LLH6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ H6 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.9W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-15315-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL6P3LLH6 | |
| 관련 링크 | STL6P3, STL6P3LLH6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | LQW15AN2N5B80D | 2.5nH Unshielded Wirewound Inductor 2.1A 30 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN2N5B80D.pdf | |
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![]() | MCA12060D4531BP100 | RES SMD 4.53K OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D4531BP100.pdf | |
![]() | TL497AIDR | TL497AIDR TI SOIC-14 | TL497AIDR.pdf | |
![]() | STC803SEUS-T | STC803SEUS-T STC SOT23 | STC803SEUS-T.pdf | |
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![]() | 031-6112 | 031-6112 Amphenol SMD or Through Hole | 031-6112.pdf | |
![]() | 9014LT1G | 9014LT1G LRC SOT-23 | 9014LT1G.pdf | |
![]() | NDX1250 | NDX1250 NUCORE QFN | NDX1250.pdf | |
![]() | MRC18EZHVF6192E | MRC18EZHVF6192E ROHM SMD or Through Hole | MRC18EZHVF6192E.pdf | |
![]() | S50000566 | S50000566 N/A N A | S50000566.pdf |