창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL6N3LLH6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL6N3LLH6 | |
기타 관련 문서 | STL6N3LLH6 View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 283pF @ 24V | |
전력 - 최대 | 2.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-PowerWDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-13651-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL6N3LLH6 | |
관련 링크 | STL6N3, STL6N3LLH6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
UC3843B,STV9118 | UC3843B,STV9118 ST/ SMD or Through Hole | UC3843B,STV9118.pdf | ||
HB373A | HB373A TI TSSOP | HB373A.pdf | ||
MB15F86UL | MB15F86UL FUJ tssop24 | MB15F86UL.pdf | ||
EOS-9EWWPR0-EG | EOS-9EWWPR0-EG EOI PB-FREE | EOS-9EWWPR0-EG.pdf | ||
LM1019N | LM1019N NS DIP | LM1019N.pdf | ||
DS104Z-840 | DS104Z-840 ORIGINAL SOP8 | DS104Z-840.pdf | ||
K174 | K174 ORIGINAL SOT23-5 | K174.pdf | ||
1N6141 | 1N6141 MICROSEMI SMD | 1N6141.pdf | ||
MXO-52B40.068MHZ | MXO-52B40.068MHZ MITADENPA SMD or Through Hole | MXO-52B40.068MHZ.pdf | ||
SDP-RM30DZM-1 | SDP-RM30DZM-1 MITSUBIS SMD or Through Hole | SDP-RM30DZM-1.pdf | ||
PI2211-00-QAIG | PI2211-00-QAIG VCR SMD or Through Hole | PI2211-00-QAIG.pdf | ||
APT7516DN | APT7516DN APT SMD or Through Hole | APT7516DN.pdf |