창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL66N3LLH5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL66N3LLH5 | |
기타 관련 문서 | STL66N3LLH5 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.8m옴 @ 10.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 72W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-12272-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL66N3LLH5 | |
관련 링크 | STL66N, STL66N3LLH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | GWM220-004P3-SL SAM | MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS | GWM220-004P3-SL SAM.pdf | |
![]() | HU2W271MCAS2WPEC | HU2W271MCAS2WPEC HITACHI DIP | HU2W271MCAS2WPEC.pdf | |
![]() | SP4642 | SP4642 PLESSEY DIP-8 | SP4642.pdf | |
![]() | P521GR | P521GR TOSHIBA DIPSOP | P521GR.pdf | |
![]() | MAX8940EXK30 | MAX8940EXK30 MAXIM SC70 | MAX8940EXK30.pdf | |
![]() | 2SC728-C | 2SC728-C FUJITSU STOCK | 2SC728-C.pdf | |
![]() | NFM61R30T472T1M | NFM61R30T472T1M TOKO SMD or Through Hole | NFM61R30T472T1M.pdf | |
![]() | KM681000CLTI-7L | KM681000CLTI-7L SAMSUNG TSOP | KM681000CLTI-7L.pdf | |
![]() | SDMF13C-002G-0000 | SDMF13C-002G-0000 Sandisk SMD or Through Hole | SDMF13C-002G-0000.pdf | |
![]() | B8MT | B8MT TI SOT23-5 | B8MT.pdf | |
![]() | FS5,5X-1 | FS5,5X-1 EPCOS SMD or Through Hole | FS5,5X-1.pdf | |
![]() | PH8191 | PH8191 M/A-COM SMD or Through Hole | PH8191.pdf |