창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL57N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL57N65M5 | |
기타 관련 문서 | STL57N65M5 View All Specifications | |
주요제품 | MDmesh™ V Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A(Ta), 22.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 69m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4200pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 189W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFLAT™(8x8) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-13520-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL57N65M5 | |
관련 링크 | STL57N, STL57N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
416F38012CTR | 38MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38012CTR.pdf | ||
CRCW2010590RFKEF | RES SMD 590 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW2010590RFKEF.pdf | ||
HRG3216P-2212-D-T5 | RES SMD 22.1K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-2212-D-T5.pdf | ||
943-1A-5-D-F | 943-1A-5-D-F ORIGINAL DIP-SOP | 943-1A-5-D-F.pdf | ||
S-80942ALMP-DA6-T2 | S-80942ALMP-DA6-T2 SEIKO SMD or Through Hole | S-80942ALMP-DA6-T2.pdf | ||
5021618001REV1 | 5021618001REV1 SYE SMD or Through Hole | 5021618001REV1.pdf | ||
S87C751-4DB | S87C751-4DB PHILIPS SSOP24 | S87C751-4DB.pdf | ||
SV3.3-150-1 | SV3.3-150-1 AcBel DC-DC | SV3.3-150-1.pdf | ||
GXLV-233P2.5V85C | GXLV-233P2.5V85C NS PGA | GXLV-233P2.5V85C.pdf | ||
WSL-1206-R050-1T-P | WSL-1206-R050-1T-P SUS SMD or Through Hole | WSL-1206-R050-1T-P.pdf | ||
QL20 | QL20 ORIGINAL K | QL20.pdf | ||
0WW | 0WW NO SMD or Through Hole | 0WW.pdf |