창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL38N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL38N65M5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta), 22.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 12.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 71nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-PowerFlat™ HV | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(8x8) HV | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-13878-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL38N65M5 | |
| 관련 링크 | STL38N, STL38N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | GJM1555C1H120JB01D | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GJM1555C1H120JB01D.pdf | |
![]() | GMK212BJ105KGHT | 1µF 35V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GMK212BJ105KGHT.pdf | |
![]() | AM99CL88H-70DC | AM99CL88H-70DC AMD DIP | AM99CL88H-70DC.pdf | |
![]() | BCM7312KPB3G | BCM7312KPB3G BROADCOM BGA | BCM7312KPB3G.pdf | |
![]() | NTB65N02RT4G | NTB65N02RT4G ONS D2PAK | NTB65N02RT4G .pdf | |
![]() | STM32F103R6T6 | STM32F103R6T6 ST LQFP-64 | STM32F103R6T6.pdf | |
![]() | NCY88007H | NCY88007H MOTOROLA SOP | NCY88007H.pdf | |
![]() | ONS1N5822G | ONS1N5822G ORIGINAL SMD or Through Hole | ONS1N5822G.pdf | |
![]() | Z0853606CMECIO | Z0853606CMECIO ZILOG DIP | Z0853606CMECIO.pdf | |
![]() | M82C54-2 SMD | M82C54-2 SMD OKI SOP-32 | M82C54-2 SMD.pdf | |
![]() | BC471N | BC471N RUILON SMD | BC471N.pdf | |
![]() | W29C020C-120 | W29C020C-120 WINBOND DIP32 | W29C020C-120.pdf |