창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL33N60M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL33N60M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II Plus | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 10.75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(8x8) HV | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-14969-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL33N60M2 | |
| 관련 링크 | STL33N, STL33N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 0805Y1C-KHA-C | 0805Y1C-KHA-C HUIYUAN ROHS | 0805Y1C-KHA-C.pdf | |
![]() | KM416S1020BT-F10 | KM416S1020BT-F10 SAMSUNG TSOP | KM416S1020BT-F10.pdf | |
![]() | SN74286N | SN74286N TI DIP24 | SN74286N.pdf | |
![]() | CMBUS1-00ENG | CMBUS1-00ENG CMD QFN | CMBUS1-00ENG.pdf | |
![]() | MB89016 | MB89016 FUJ SMD or Through Hole | MB89016.pdf | |
![]() | 90B06S | 90B06S OK SMD or Through Hole | 90B06S.pdf | |
![]() | HF30BB1.8X5X0.7 | HF30BB1.8X5X0.7 TDK SMD or Through Hole | HF30BB1.8X5X0.7.pdf | |
![]() | SD303R04S10PBV | SD303R04S10PBV IR SMD or Through Hole | SD303R04S10PBV.pdf | |
![]() | P8TG-2412E4:1LF | P8TG-2412E4:1LF PEAK DIP24 | P8TG-2412E4:1LF.pdf | |
![]() | M88516 | M88516 ORIGINAL SMD or Through Hole | M88516.pdf | |
![]() | SAYZY1G88EA0B77R14 | SAYZY1G88EA0B77R14 MURATA QFN | SAYZY1G88EA0B77R14.pdf |