창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL30N10F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL30N10F7 | |
제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 920pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-14540-2 STL30N10F7-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL30N10F7 | |
관련 링크 | STL30N, STL30N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | MMSZ5222RT1(2V5) | MMSZ5222RT1(2V5) ON 1206 | MMSZ5222RT1(2V5).pdf | |
![]() | V59C1512164QDJ3I | V59C1512164QDJ3I ORIGINAL BGA | V59C1512164QDJ3I.pdf | |
![]() | 10N60G | 10N60G UTC/ TO-220F | 10N60G.pdf | |
![]() | KCE-33T | KCE-33T ORIGINAL 25pcs dip-18 | KCE-33T.pdf | |
![]() | 2SD1269 | 2SD1269 ORIGINAL TO-251 | 2SD1269.pdf | |
![]() | RFDB1B02(2440) | RFDB1B02(2440) ST QFP48 | RFDB1B02(2440).pdf | |
![]() | TPS65012RG2R | TPS65012RG2R ORIGINAL SMD or Through Hole | TPS65012RG2R.pdf | |
![]() | TA0012 | TA0012 RFMD SMD or Through Hole | TA0012.pdf | |
![]() | APT5521BFLLX | APT5521BFLLX APT 3P | APT5521BFLLX.pdf | |
![]() | FDS3710N7 | FDS3710N7 FSC SOP8 | FDS3710N7.pdf | |
![]() | STG5210 | STG5210 N/A MSOP8 | STG5210.pdf |