창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL30N10F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL30N10F7 | |
제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 920pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-14540-2 STL30N10F7-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL30N10F7 | |
관련 링크 | STL30N, STL30N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 406I35B12M68800 | 12.688MHz ±30ppm 수정 13pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406I35B12M68800.pdf | |
![]() | D8286AD | D8286AD INTEL CDIP | D8286AD.pdf | |
![]() | 39150-2.5WU | 39150-2.5WU MICREL TO263-3 | 39150-2.5WU.pdf | |
![]() | BYW88-100 | BYW88-100 ST SMD or Through Hole | BYW88-100.pdf | |
![]() | ST6240Q6/C5/TM | ST6240Q6/C5/TM ST QFP | ST6240Q6/C5/TM.pdf | |
![]() | 1206 68NH K | 1206 68NH K TASUND SMD or Through Hole | 1206 68NH K.pdf | |
![]() | MC10H332FN | MC10H332FN MOT PLCC | MC10H332FN.pdf | |
![]() | P080A2003 | P080A2003 ORIGINAL SOT | P080A2003.pdf | |
![]() | ICS8MG3-106.250AJ | ICS8MG3-106.250AJ IDT 6 CER 5X7 MM | ICS8MG3-106.250AJ.pdf | |
![]() | MAX693EJE+ | MAX693EJE+ MAXIM CDIP | MAX693EJE+.pdf | |
![]() | DG308-2.54-03P-14-00A(H) | DG308-2.54-03P-14-00A(H) DEGSON SMD or Through Hole | DG308-2.54-03P-14-00A(H).pdf | |
![]() | LFK30-05E1880L060A | LFK30-05E1880L060A MURATA SMD | LFK30-05E1880L060A.pdf |