창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL25N60M2-EP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL25N60M2-EP | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ M2 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 205m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1090pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(8x8) HV | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-16249-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL25N60M2-EP | |
| 관련 링크 | STL25N6, STL25N60M2-EP 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | TMC3K-B10K-TR/D | TMC3K-B10K-TR/D NOBLE 3 3 10K | TMC3K-B10K-TR/D.pdf | |
![]() | R30R300 | R30R300 ORIGINAL SMD or Through Hole | R30R300.pdf | |
![]() | TCMI0610PD11B | TCMI0610PD11B ORIGINAL SMD or Through Hole | TCMI0610PD11B.pdf | |
![]() | OP491EY | OP491EY AD/PMI CDIP14 | OP491EY.pdf | |
![]() | 0.68UF25V-A | 0.68UF25V-A AVX SMD or Through Hole | 0.68UF25V-A.pdf | |
![]() | 6475K | 6475K M 10P | 6475K.pdf | |
![]() | CY62128-20ZC | CY62128-20ZC CYPRESS TS0P | CY62128-20ZC.pdf | |
![]() | PT-30DFB | PT-30DFB DROLIFIC MSOP-8 | PT-30DFB.pdf | |
![]() | HA1-2625/883 | HA1-2625/883 HARRIS/SIL DIP | HA1-2625/883.pdf | |
![]() | N27C210-150V18 | N27C210-150V18 INTEL PLCC | N27C210-150V18.pdf | |
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![]() | TAG280-800 | TAG280-800 TAG TO-220 | TAG280-800.pdf |