창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL25N15F3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL25N15F3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ III | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 57m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 80W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(6x5) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-8785-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL25N15F3 | |
| 관련 링크 | STL25N, STL25N15F3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | MLG0603SR13JTD25 | 130nH Unshielded Multilayer Inductor 50mA 7.3 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603SR13JTD25.pdf | |
![]() | RNCF0603BTE2K70 | RES SMD 2.7K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RNCF0603BTE2K70.pdf | |
![]() | CRCW121838R3FKTK | RES SMD 38.3 OHM 1% 1W 1218 | CRCW121838R3FKTK.pdf | |
![]() | PLT0603Z1071LBTS | RES SMD 1.07K OHM 0.15W 0603 | PLT0603Z1071LBTS.pdf | |
![]() | XCA430AN | XCA430AN Honeywell SMD or Through Hole | XCA430AN.pdf | |
![]() | F4011BDC | F4011BDC ORIGINAL SMD or Through Hole | F4011BDC.pdf | |
![]() | LM8759-086SP | LM8759-086SP ORIGINAL DIP-32 | LM8759-086SP.pdf | |
![]() | APT20N60BC3 | APT20N60BC3 APT TO-247 | APT20N60BC3.pdf | |
![]() | CV04C | CV04C HITACHI CAN3 | CV04C.pdf | |
![]() | PTC10MV10140797G103D58 | PTC10MV10140797G103D58 piher SMD or Through Hole | PTC10MV10140797G103D58.pdf | |
![]() | HYB18TC512160B2FS | HYB18TC512160B2FS INF BGA | HYB18TC512160B2FS.pdf | |
![]() | DG419DY+TG002 | DG419DY+TG002 MAXIM SMD or Through Hole | DG419DY+TG002.pdf |