창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL18NM60N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL18NM60N | |
기타 관련 문서 | STL18NM60N View All Specifications | |
주요제품 | PowerFLAT™ 8x8 HV | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.1A(Ta), 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 310m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-PowerFlat™ HV | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(8x8) HV | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-11847-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL18NM60N | |
관련 링크 | STL18N, STL18NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | MBB02070C4753DC100 | RES 475K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C4753DC100.pdf | |
![]() | EC35-3C90 | EC35-3C90 FERROX SMD or Through Hole | EC35-3C90.pdf | |
![]() | 0434002.NR(2A) | 0434002.NR(2A) LITTELFUSE SMD or Through Hole | 0434002.NR(2A).pdf | |
![]() | AEXTC2A03 | AEXTC2A03 ORIGINAL BGA | AEXTC2A03.pdf | |
![]() | MT006CR/MT-250 | MT006CR/MT-250 ORIGINAL DIP | MT006CR/MT-250.pdf | |
![]() | 8801-120-170S | 8801-120-170S KEL NA | 8801-120-170S.pdf | |
![]() | SABC504LM | SABC504LM infineon PQFP | SABC504LM.pdf | |
![]() | PP254820SIM | PP254820SIM NEMIC SMD or Through Hole | PP254820SIM.pdf | |
![]() | Y201132V203NQ | Y201132V203NQ C&K SMD or Through Hole | Y201132V203NQ.pdf | |
![]() | CRG09 TE85L | CRG09 TE85L TOSHIBA S-FLAT | CRG09 TE85L.pdf | |
![]() | PIC18F8680-1/PT | PIC18F8680-1/PT MICROCHIPTECHNOLO SMD or Through Hole | PIC18F8680-1/PT.pdf |