창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL18N60M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL18N60M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II Plus | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 308m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 791pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 57W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | * | |
| 패키지/케이스 | 4-PowerFlat™ HV | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-15146-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL18N60M2 | |
| 관련 링크 | STL18N, STL18N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
| RW5S0FA47R0JE | RES SMD 47 OHM 5% 5W L BEND | RW5S0FA47R0JE.pdf | ||
![]() | SA1R512 | SA1R512 DHM SMD or Through Hole | SA1R512.pdf | |
![]() | 200HF40PVL2 | 200HF40PVL2 IR SMD or Through Hole | 200HF40PVL2.pdf | |
![]() | WR-120PB-VF-1-R1500 | WR-120PB-VF-1-R1500 JAE SMD or Through Hole | WR-120PB-VF-1-R1500.pdf | |
![]() | WB321611A260ONT05 | WB321611A260ONT05 ORIGINAL 1206 | WB321611A260ONT05.pdf | |
![]() | AR1206FR-109K53L | AR1206FR-109K53L YAGEO SMD | AR1206FR-109K53L.pdf | |
![]() | MC-221040F9-B10-CQ1 | MC-221040F9-B10-CQ1 NEC BGA | MC-221040F9-B10-CQ1.pdf | |
![]() | S31AL016M90TAI020 | S31AL016M90TAI020 SPANSION TSOP | S31AL016M90TAI020.pdf | |
![]() | GD330 | GD330 MURATA SMD or Through Hole | GD330.pdf | |
![]() | K4D553238F-JC36 | K4D553238F-JC36 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4D553238F-JC36.pdf | |
![]() | 78L09ML | 78L09ML UTC SOT89 | 78L09ML.pdf |