창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL17N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL17N65M5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Ta), 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 374m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 816pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-PowerFlat™ HV | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(8x8) HV | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-15145-2 STL17N65M5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL17N65M5 | |
| 관련 링크 | STL17N, STL17N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | W2A43A201KAT2F | 200pF Isolated Capacitor 4 Array 25V C0G, NP0 0508 (1220 Metric) 0.051" L x 0.083" W (1.30mm x 2.10mm) | W2A43A201KAT2F.pdf | |
![]() | RVC1206JT2M00 | RES SMD 2M OHM 5% 1/4W 1206 | RVC1206JT2M00.pdf | |
![]() | RG3216V-3921-B-T5 | RES SMD 3.92K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-3921-B-T5.pdf | |
![]() | BCN4D470J7 | BCN4D470J7 BI SMD | BCN4D470J7.pdf | |
![]() | BSR1401GE | BSR1401GE BITECH SMD or Through Hole | BSR1401GE.pdf | |
![]() | LT1782IS6 TEL:82766440 | LT1782IS6 TEL:82766440 LT SMD or Through Hole | LT1782IS6 TEL:82766440.pdf | |
![]() | M1206T161R-10 | M1206T161R-10 STEWARD SMD | M1206T161R-10.pdf | |
![]() | FQB5P10TM | FQB5P10TM FAIRCHILD SOT-263 | FQB5P10TM.pdf | |
![]() | 2KV101 | 2KV101 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2KV101.pdf | |
![]() | AOSNE102 | AOSNE102 ORIGINAL SMD or Through Hole | AOSNE102.pdf | |
![]() | MAX182BCWI | MAX182BCWI MAXIM SOIC-28 | MAX182BCWI.pdf | |
![]() | MUR860H | MUR860H ON SMD or Through Hole | MUR860H.pdf |