창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL17N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL17N65M5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Ta), 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 374m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 816pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-PowerFlat™ HV | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(8x8) HV | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-15145-2 STL17N65M5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL17N65M5 | |
| 관련 링크 | STL17N, STL17N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ2225A271KBBAT4X | 270pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225A271KBBAT4X.pdf | |
![]() | L-14C47NKV4T | 47nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 900 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | L-14C47NKV4T.pdf | |
![]() | G5Q-1A-EL-HA-VH DC24 | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 24VDC Coil Through Hole | G5Q-1A-EL-HA-VH DC24.pdf | |
![]() | CRGH0603F3K24 | RES SMD 3.24K OHM 1% 1/5W 0603 | CRGH0603F3K24.pdf | |
![]() | RC12JB2R00 | RES 2 OHM 1/2W 5% AXIAL | RC12JB2R00.pdf | |
![]() | 10.0604-1100.1 | 10.0604-1100.1 TI QPF-100 | 10.0604-1100.1.pdf | |
![]() | PIC12C672-20I/SM | PIC12C672-20I/SM MICROCHIP SMD or Through Hole | PIC12C672-20I/SM.pdf | |
![]() | D87C52T2-1 | D87C52T2-1 AMD DIP | D87C52T2-1.pdf | |
![]() | QG2350571Y-H02-TR | QG2350571Y-H02-TR FOXCONN SMD or Through Hole | QG2350571Y-H02-TR.pdf | |
![]() | 222277569E3- | 222277569E3- VISHAY DIP | 222277569E3-.pdf | |
![]() | RM73B1ETP752J | RM73B1ETP752J KOA SMD or Through Hole | RM73B1ETP752J.pdf |