창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL16N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL16N65M5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 299m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1250pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-PowerFlat™ HV | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(8x8) HV | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-12270-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL16N65M5 | |
| 관련 링크 | STL16N, STL16N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | B41851A6225M8 | 2.2µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 90 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | B41851A6225M8.pdf | |
![]() | RTMN-5010 | EMI FILTER 500VAC 10A SCREW TERM | RTMN-5010.pdf | |
![]() | BM-817 | BM-817 BRYMEN SMD or Through Hole | BM-817.pdf | |
![]() | 3191EG473M028BPA1 | 3191EG473M028BPA1 CDE DIP | 3191EG473M028BPA1.pdf | |
![]() | SSH-002T-P0.2 | SSH-002T-P0.2 JST SMD or Through Hole | SSH-002T-P0.2.pdf | |
![]() | MCM3216B221GAE | MCM3216B221GAE ORIGINAL SMD or Through Hole | MCM3216B221GAE.pdf | |
![]() | 30PF | 30PF ORIGINAL SMD or Through Hole | 30PF.pdf | |
![]() | LTC3405AES6-1.5 NOPB | LTC3405AES6-1.5 NOPB LT SMD or Through Hole | LTC3405AES6-1.5 NOPB.pdf | |
![]() | N11M-GS2-S-A2 | N11M-GS2-S-A2 NVIDIA BGA | N11M-GS2-S-A2.pdf | |
![]() | EC5BE06 | EC5BE06 ORIGINAL SMD or Through Hole | EC5BE06.pdf | |
![]() | RW2-1205S | RW2-1205S RECOM DIPSIP | RW2-1205S.pdf | |
![]() | MT47H16M16BG-37EIT(D9FRG) | MT47H16M16BG-37EIT(D9FRG) MICRON SMD or Through Hole | MT47H16M16BG-37EIT(D9FRG).pdf |