창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL160NS3LLH7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL160NS3LLH7 | |
제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
주요제품 | STripFET™ Series V Power MOSFETs Low Voltage (30 V) STripFET™ H7 Series Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3245pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-14988-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL160NS3LLH7 | |
관련 링크 | STL160N, STL160NS3LLH7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | AOCJY4A-13.000MHZ-F-SW | 13MHz Sine Wave OCXO Oscillator Through Hole 5V | AOCJY4A-13.000MHZ-F-SW.pdf | |
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![]() | CRCW08056K65FKEAHP | RES SMD 6.65K OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW08056K65FKEAHP.pdf | |
![]() | RC2010JR-07510RL 2010 510R | RC2010JR-07510RL 2010 510R ORIGINAL SMD or Through Hole | RC2010JR-07510RL 2010 510R.pdf | |
![]() | MPC1384C | MPC1384C ORIGINAL DIP28 | MPC1384C.pdf | |
![]() | TC74HV4053AFT | TC74HV4053AFT TO TSSOP | TC74HV4053AFT.pdf | |
![]() | NACP220M16V5X4.5TR13F | NACP220M16V5X4.5TR13F NICC SMT | NACP220M16V5X4.5TR13F.pdf | |
![]() | 16-3991-01 | 16-3991-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | 16-3991-01.pdf | |
![]() | LM317T-P | LM317T-P NS TO | LM317T-P.pdf | |
![]() | B54103-A1000-X70 | B54103-A1000-X70 SIE SMD or Through Hole | B54103-A1000-X70.pdf | |
![]() | XC3S3400A-FGG676I | XC3S3400A-FGG676I XILINX BGA | XC3S3400A-FGG676I.pdf | |
![]() | B1325 | B1325 ORIGINAL TO-92 | B1325.pdf |