창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL160NS3LLH7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL160NS3LLH7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 주요제품 | STripFET™ Series V Power MOSFETs Low Voltage (30 V) STripFET™ H7 Series Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3245pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-14988-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL160NS3LLH7 | |
| 관련 링크 | STL160N, STL160NS3LLH7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | CZRA4755-HF | DIODE ZENER 43V 1W DO214AC | CZRA4755-HF.pdf | |
![]() | 1N4978 | DIODE ZENER 68V 5W AXIAL | 1N4978.pdf | |
![]() | CRCW0805511KFKEB | RES SMD 511K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805511KFKEB.pdf | |
![]() | Y000716K4240T0L | RES 16.424K OHM 0.6W 0.01% RAD | Y000716K4240T0L.pdf | |
| SC50F103VN | NTC Thermistor 10k Bead | SC50F103VN.pdf | ||
![]() | LMBT3904 1AM | LMBT3904 1AM LRC SOT-23 | LMBT3904 1AM.pdf | |
![]() | N5M29F800GHE-BL85 | N5M29F800GHE-BL85 MIT TSOP | N5M29F800GHE-BL85.pdf | |
![]() | 2H439 | 2H439 ORIGINAL CAN | 2H439.pdf | |
![]() | RC0402JR-0711KL 0402 11K | RC0402JR-0711KL 0402 11K ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0402JR-0711KL 0402 11K.pdf | |
![]() | CW45-101K | CW45-101K ORIGINAL SMD or Through Hole | CW45-101K.pdf | |
![]() | MC68HC000P10/MC68HC000P8 | MC68HC000P10/MC68HC000P8 MOTOROLA SMD or Through Hole | MC68HC000P10/MC68HC000P8.pdf |