창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL160N3LLH6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL160N3LLH6 | |
기타 관련 문서 | STL160N3LLH6 View All Specifications | |
주요제품 | STripFET™ Series V Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3m옴 @ 17.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 61.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6375pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 80W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-11204-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL160N3LLH6 | |
관련 링크 | STL160N, STL160N3LLH6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | UPS115U/TR7 | DIODE SCHOTTKY 15V 1A POWERMITE | UPS115U/TR7.pdf | |
![]() | A177PB | DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205 | A177PB.pdf | |
![]() | RT1206FRE0710KL | RES SMD 10K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRE0710KL.pdf | |
![]() | RT0805DRE076R98L | RES SMD 6.98 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE076R98L.pdf | |
![]() | RN5RF25BA-TR TEL:82766440 | RN5RF25BA-TR TEL:82766440 RICOH SOT153 | RN5RF25BA-TR TEL:82766440.pdf | |
![]() | HA178L08R | HA178L08R HIT SMD or Through Hole | HA178L08R.pdf | |
![]() | DS21600SN+ | DS21600SN+ MAXIM SMD or Through Hole | DS21600SN+.pdf | |
![]() | INA193AMDBVREPG4 | INA193AMDBVREPG4 TI SOT23 | INA193AMDBVREPG4.pdf | |
![]() | PBPC1007 | PBPC1007 DIODES SMD or Through Hole | PBPC1007.pdf | |
![]() | GAL26CV12-20LPI | GAL26CV12-20LPI LATTICE DIP | GAL26CV12-20LPI.pdf | |
![]() | RO32 | RO32 TOREX SOT-89 | RO32.pdf | |
![]() | DF19L-20P-1H/56 | DF19L-20P-1H/56 HIROSE SMD or Through Hole | DF19L-20P-1H/56.pdf |