창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL160N3LLH6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL160N3LLH6 | |
기타 관련 문서 | STL160N3LLH6 View All Specifications | |
주요제품 | STripFET™ Series V Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3m옴 @ 17.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 61.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6375pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 80W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-11204-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL160N3LLH6 | |
관련 링크 | STL160N, STL160N3LLH6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | BF-100.000MBE-T | 100MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 80mA Enable/Disable | BF-100.000MBE-T.pdf | |
![]() | 220KXF470M35X20 | 220KXF470M35X20 APEM SMD or Through Hole | 220KXF470M35X20.pdf | |
![]() | 7914S-SW3-000-024-032E | 7914S-SW3-000-024-032E BOURNS SMD or Through Hole | 7914S-SW3-000-024-032E.pdf | |
![]() | 2004H-883C | 2004H-883C DIP NS | 2004H-883C.pdf | |
![]() | EP1AGX20CF780C3N | EP1AGX20CF780C3N ALTERA BGA | EP1AGX20CF780C3N.pdf | |
![]() | ADM1171-1AUJZ-REEL7 | ADM1171-1AUJZ-REEL7 AD SOT183 | ADM1171-1AUJZ-REEL7.pdf | |
![]() | 2SA1338-5 TEL:82766440 | 2SA1338-5 TEL:82766440 SANYO SMD or Through Hole | 2SA1338-5 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 215-0718050 | 215-0718050 NVIDIA BGA | 215-0718050.pdf | |
![]() | G3VM-41LR3TR10 | G3VM-41LR3TR10 OMRO SSOP4 | G3VM-41LR3TR10.pdf | |
![]() | CVS20A330M-TP | CVS20A330M-TP MARUWA SMD | CVS20A330M-TP.pdf | |
![]() | CL05C4R7CB5ANNC | CL05C4R7CB5ANNC Samsung SMD or Through Hole | CL05C4R7CB5ANNC.pdf |