창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL160N3LLH6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL160N3LLH6 | |
기타 관련 문서 | STL160N3LLH6 View All Specifications | |
주요제품 | STripFET™ Series V Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3m옴 @ 17.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 61.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6375pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 80W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-11204-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL160N3LLH6 | |
관련 링크 | STL160N, STL160N3LLH6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
PC10HT-270 | 10F Supercap 2.2V Radial, Can, Horizontal 180 mOhm 1000 Hrs @ 85°C 1.413" L x 0.929" W (35.90mm x 23.60mm) | PC10HT-270.pdf | ||
![]() | 1210R-223K | 22µH Unshielded Inductor 224mA 3.7 Ohm Max 2-SMD | 1210R-223K.pdf | |
![]() | CRCW25124R64FKEG | RES SMD 4.64 OHM 1% 1W 2512 | CRCW25124R64FKEG.pdf | |
![]() | 104-681 | 104-681 LY SMD | 104-681.pdf | |
![]() | LPC3130FET | LPC3130FET NXP SMD or Through Hole | LPC3130FET.pdf | |
![]() | 1963A-15 | 1963A-15 ORIGINAL SOT223-6 | 1963A-15.pdf | |
![]() | LCA126LS | LCA126LS CLARE SMD or Through Hole | LCA126LS.pdf | |
![]() | 04FHS-RSM1-TB | 04FHS-RSM1-TB JST PCS | 04FHS-RSM1-TB.pdf | |
![]() | TC9327AF-643 | TC9327AF-643 TOSHIBA TQFP | TC9327AF-643.pdf |