창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL15N60M2-EP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL15N60M2-EP | |
| 주요제품 | 600 V MDmesh M2 EP MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ M2 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 418m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 590pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 55W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-15912-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL15N60M2-EP | |
| 관련 링크 | STL15N6, STL15N60M2-EP 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | BSC046N02KS G | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 | BSC046N02KS G.pdf | |
![]() | MS4800S-40-0480-10X-10R-RM2A | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800S-40-0480-10X-10R-RM2A.pdf | |
![]() | NTCLE100E3272GB0 | NTC Thermistor 2.7k Bead | NTCLE100E3272GB0.pdf | |
![]() | TAG246-100 | TAG246-100 TAG TO-220 | TAG246-100.pdf | |
![]() | V300C12T150B | V300C12T150B VICOR IGBT | V300C12T150B.pdf | |
![]() | PSB215255H | PSB215255H infineon PQFP-44 | PSB215255H.pdf | |
![]() | 2SK3102 | 2SK3102 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SK3102.pdf | |
![]() | ABJ(UAJ) | ABJ(UAJ) MAX QFN16 | ABJ(UAJ).pdf | |
![]() | MOC8115 | MOC8115 ORIGINAL SMD or Through Hole | MOC8115.pdf | |
![]() | 5962-9059001MDA | 5962-9059001MDA NSC SOP14 | 5962-9059001MDA.pdf | |
![]() | IRHG597110 | IRHG597110 IR MO-036AB | IRHG597110.pdf | |
![]() | IRF9965 | IRF9965 IR SOP-8 | IRF9965.pdf |