창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL15DN4F5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL15DN4F5 | |
기타 관련 문서 | STL15DN4F5 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
주요제품 | STripFET™ Series V Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1550pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-10782-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL15DN4F5 | |
관련 링크 | STL15D, STL15DN4F5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
ECQ-E4473KF3 | 0.047µF Film Capacitor 400V Polyester, Metallized Radial 0.472" L x 0.197" W (12.00mm x 5.00mm) | ECQ-E4473KF3.pdf | ||
NRVB830MFST1G | DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN | NRVB830MFST1G.pdf | ||
4816P-2-181LF | RES ARRAY 15 RES 180 OHM 16SOIC | 4816P-2-181LF.pdf | ||
Y1508102K000BP0L | RES 102K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y1508102K000BP0L.pdf | ||
3759/10 100 | 3759/10 100 CINCH-JONES SMD or Through Hole | 3759/10 100.pdf | ||
SG006-8409 | SG006-8409 ORIGINAL CDIP8 | SG006-8409.pdf | ||
S002646 | S002646 MX DIP | S002646.pdf | ||
D3121F | D3121F CHMC SOP8 | D3121F.pdf | ||
LPF3513T-2R2M | LPF3513T-2R2M ABCO SMD | LPF3513T-2R2M.pdf | ||
NMJ4HFD2 | NMJ4HFD2 Neutrik SMD or Through Hole | NMJ4HFD2.pdf | ||
IRFC9130R | IRFC9130R Micron QFP64 | IRFC9130R.pdf | ||
HY27UA08121M-TCB | HY27UA08121M-TCB HY SMD or Through Hole | HY27UA08121M-TCB.pdf |