창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL150N3LLH5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL150N3LLH5 | |
기타 관련 문서 | STL150N3LLH5 View All Specifications | |
주요제품 | STripFET™ Series V Power MOSFETs | |
카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.75m옴 @ 17.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(6x5) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-8483-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL150N3LLH5 | |
관련 링크 | STL150N, STL150N3LLH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
416F3741XCAT | 37.4MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3741XCAT.pdf | ||
2SC5485 | 2SC5485 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC5485.pdf | ||
UPD70208L8 | UPD70208L8 ORIGINAL SMD or Through Hole | UPD70208L8.pdf | ||
29DNF | 29DNF ORIGINAL BGA | 29DNF.pdf | ||
AD6493BCPZ | AD6493BCPZ AD LFCSP | AD6493BCPZ.pdf | ||
MS3H12.288MH2 | MS3H12.288MH2 ORIGINAL SMD or Through Hole | MS3H12.288MH2.pdf | ||
191540057 | 191540057 AMD SMD or Through Hole | 191540057.pdf | ||
MB86161APF-G | MB86161APF-G ORIGINAL SOP | MB86161APF-G.pdf | ||
UPD6125A-118 | UPD6125A-118 NEC SOP-24P | UPD6125A-118.pdf | ||
AK27012013(27.00MHZ) | AK27012013(27.00MHZ) SUNNY SMD or Through Hole | AK27012013(27.00MHZ).pdf | ||
XC3064APQ100C | XC3064APQ100C XILINX QFP | XC3064APQ100C.pdf | ||
DG181BP/883 | DG181BP/883 DG DIP | DG181BP/883.pdf |