창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL140N6F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL140N6F7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 145A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerSMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-15911-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL140N6F7 | |
| 관련 링크 | STL140, STL140N6F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SA205C563KAA | 0.056µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.100" Dia x 0.260" L(2.54mm x 6.60mm) | SA205C563KAA.pdf | |
![]() | 416F370X2CKT | 37MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370X2CKT.pdf | |
![]() | CRCW201040K2FKEF | RES SMD 40.2K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201040K2FKEF.pdf | |
![]() | CRGV1206F249K | RES SMD 249K OHM 1% 1/4W 1206 | CRGV1206F249K.pdf | |
![]() | M5183P | M5183P MIT DIP | M5183P.pdf | |
![]() | K7D163671B-HC37 | K7D163671B-HC37 SAMSUNG BGA | K7D163671B-HC37.pdf | |
![]() | XC6201P382PR | XC6201P382PR TOREX SOT-89 | XC6201P382PR.pdf | |
![]() | SN75107ANSR | SN75107ANSR TI SO-14 | SN75107ANSR.pdf | |
![]() | 478700000 | 478700000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 478700000.pdf | |
![]() | RD18MT1B | RD18MT1B ORIGINAL SMD or Through Hole | RD18MT1B.pdf | |
![]() | ISO7221C | ISO7221C TI SOP-8 | ISO7221C.pdf | |
![]() | D8387.5012 | D8387.5012 AVX SMD or Through Hole | D8387.5012.pdf |